半导体行业招聘★◈ღ★★。半导体核心技术★◈ღ★★。半导体龙头股★◈ღ★★，贝博体育★◈ღ★★。BALLBET官网★◈ღ★★，CoWoS是一种先进的封装技术★◈ღ★★，能够将多个芯片堆叠在一起★◈ღ★★，然后封装在一个基板上贝博ballbet体育★◈ღ★★，形成一个紧凑且高效的单元★◈ღ★★。 在芯片制造领域★◈ღ★★，前道★◈ღ★★、中道和后道指的是半导体生产过程中的三个主要阶段★◈ღ★★，具体如下★◈ღ★★： 前道（Front-End Manufacturing ）★◈ღ★★：前道工艺主要涉及晶圆制造★◈ღ★★，这是在空白的硅片上完成电路加工的过程★◈ღ★★，包括光刻★◈ღ★★、刻蚀★◈ღ★★、薄膜生长★◈ღ★★、 离子注入★◈ღ★★、清洗★◈ღ★★、CMP（化学机械抛光）和量测等工艺步骤★◈ღ★★。这个阶段的目标是在硅片上形成晶体管和其他有源器件★◈ღ★★，以及多层互连结构★◈ღ★★。 中道（Middle-End Manufacturing）★◈ღ★★： 中道是介于晶圆制造和封装测试之间的一个环节★◈ღ★★，有时也被称作 “Bumping”★◈ღ★★。它通常指的是在晶 圆上形成的凸点（Bumps）★◈ღ★★，这些凸点用于后续的封装过程★◈ღ★★，使得芯片能够与外部电路连接★◈ღ★★。中道制造随着高密度芯片需求的增长而变得 越来越重要★◈ღ★★，尤其是在倒装芯片（Flip-Chip）技术中★◈ღ★★。 后道（Back-End Manufacturing）★◈ღ★★： 后道工艺主要涉及封装和测试★◈ღ★★。包括减薄★◈ღ★★、划片★◈ღ★★、装片★◈ღ★★、引线键合★◈ღ★★、模塑★◈ღ★★、电镀★◈ღ★★、切筋 / 成型和终测 等步骤★◈ღ★★。这个阶段的目标是将圆形的硅片切割成单独的芯片颗粒★◈ღ★★，完成外壳封装★◈ღ★★，并进行电气测试以确保性能符合标准★◈ღ★★。
目前集成电路前道制程工艺发展受限★◈ღ★★，但随着大模型和 AIGC 等新兴应用场景的快速发展★◈ღ★★，科技产业对于芯片性能的要求日益提高★◈ღ★★，越来 越多集成电路企业转向后道先进封装工艺寻求先进技术方案★◈ღ★★，以确保产品性能的持续提升★◈ღ★★。2.5D 封装★◈ღ★★、3D 封装等均被认为属于先进封装 范畴★◈ღ★★。 2.5D 封装★◈ღ★★： 这种封装方式是将芯片堆叠在中介层之上★◈ღ★★，通过微小的金属线连接不同的芯片★◈ღ★★，实现电子信号的整合★◈ღ★★。 3D 封装★◈ღ★★： 更进一步★◈ღ★★，3D 封装技术允许芯片垂直堆叠★◈ღ★★，这为高性能逻辑芯片和 SoC（System on Chip）的制造提供了可能★◈ღ★★。 CoWoS 严格来说属于 2.5D 先进封装技术★◈ღ★★，由 CoW 和 oS 组合而来★◈ღ★★：先将芯片通过 Chip on Wafer（CoW）的封装制程连接至硅晶圆★◈ღ★★， 再把 CoW 芯片与基板（Substrate）连接★◈ღ★★，整合成 CoWoS★◈ღ★★。核心是将不同的芯片堆叠在同一片硅中介层实现多颗芯片互联★◈ღ★★。
2011年台积电开发出的第一代CoWoS-S硅中介层最大面积为775mm²★◈ღ★★，已经接近掩膜版的曝光尺寸极限（858mm²）★◈ღ★★，对此贝博ballbet体育★◈ღ★★，台积电研发 出光罩拼接技术突破了该瓶颈★◈ღ★★，光罩拼接即两个光罩组合★◈ღ★★，产生重合部分的RDL互联需做到一致★◈ღ★★。 突破光罩限制后★◈ღ★★，2014年台积电第二代CoWoS-S产品的硅中介层面积达到1150mm²★◈ღ★★，第三代★◈ღ★★、第四代★◈ღ★★、第五代★◈ღ★★、第六代硅中介层面积分 别为1245mm²★◈ღ★★、1660mm²★◈ღ★★、2500mm²★◈ღ★★、3320mm²★◈ღ★★，对应的集成芯片数量分别为1个soc+4个HBM（内存16GB）★◈ღ★★、1个soc+6个HBM（内存 48GB）★◈ღ★★、2个soc+8个HBM（内存128GB）★◈ღ★★、2个soc+12个HBM★◈ღ★★。 硅转接板面积不断增加★◈ღ★★，便于集成更多元器件★◈ღ★★，从第三代开始★◈ღ★★，CoWoS由同质集成转变为异质集成★◈ღ★★。第五代芯片不仅对逻辑与内存进行 了改进★◈ღ★★，还针对硅中介层的RDL★◈ღ★★、TSV进行改进★◈ღ★★，在硅中介层加入了eDTC（嵌入式深沟槽电容器）以进一步稳定电源系统★◈ღ★★。
CoWoS封装技术的一个显著特点是它可以实现高度集成★◈ღ★★，这意味着多个芯片在一个封装中可以实现高度 集成★◈ღ★★，从而可以在更小的空间内提供更强大的功能★◈ღ★★。这种技术特别适用于那些对空间效率有极高要求的行 业★◈ღ★★，如互联网★◈ღ★★、5G和人工智能★◈ღ★★。
由于芯片与晶圆直接相连★◈ღ★★，CoWoS封装技术可以提高信号传输速度和可靠性★◈ღ★★。此外★◈ღ★★， 它还能有效地缩短电子器件的信号传输距离★◈ღ★★，从而减少传输时延和能量损失★◈ღ★★。
相比于传统的封装技术★◈ღ★★，CoWoS技术可以降低 芯片的制造成本和封装成本★◈ღ★★。这是因为它避免 了传统封装技术中的繁琐步骤★◈ღ★★，如铜线缠绕★◈ღ★★、 耗材成本高等★◈ღ★★，从而可以提高生产效率和降低 成本★◈ღ★★。
制造复杂性★◈ღ★★： CoWoS 是一种 2.5D/3D 集成技术★◈ღ★★，与前代技 术相比★◈ღ★★，制造复杂性显著增加★◈ღ★★。制造复杂性直 接导致采用这种封装技术的芯片成本增加★◈ღ★★。
电气挑战★◈ღ★★： 信号完整性★◈ღ★★：逻辑晶圆到基板的互连★◈ღ★★：随着 数据速率的提高★◈ღ★★，由于 TSV 的寄生电容和电 感★◈ღ★★，互连的信号传输会变差★◈ღ★★。为了解决这个 问题★◈ღ★★，努力优化 TSV★◈ღ★★，以最大限度地降低电 容和电感★◈ღ★★。逻辑晶圆芯片到 HBM★◈ღ★★：SoC 和 HBM 之间互连的眼图性能瓶颈归因于互连的 寄生电阻和电容★◈ღ★★。 电源完整性★◈ღ★★：CoWoS 封装通常用于具有较高 数据切换率和较低工作电压的高性能应用★◈ღ★★。 这使得这些封装容易受到电源完整性挑战★◈ღ★★。
集成和良率挑战★◈ღ★★： 2.5D 和 3D 集成电路需要像任何其他集成电路 一样进行测试★◈ღ★★，以确保它们没有任何制造缺陷★◈ღ★★。 然而★◈ღ★★，测试 2.5D 或 3D 集成电路要困难得多★◈ღ★★， 因为每个晶圆芯片在安装到中介层之前都需要 单独测试贝博ballbet体育★◈ღ★★，安装后还需要再次测试★◈ღ★★。除此之外★◈ღ★★， 硅通孔 (TSV) 也需要测试★◈ღ★★。最后★◈ღ★★，大型硅中介 层特别容易受到制造缺陷的影响★◈ღ★★，并可能导致 电气挑战★◈ღ★★： 产量损失★◈ღ★★。
散热挑战★◈ღ★★： 由于中介层和基板之间的热膨胀系数 (CTE) 不 同★◈ღ★★，CoWoS 封装会遇到散热问题★◈ღ★★。使用有机 中介层确实可以在一定程度上限制散热问题★◈ღ★★。 使用底部填充材料可以缓冲硅片和基板之间的 热失配★◈ღ★★，从而大大提高焊点的寿命★◈ღ★★。
后摩尔时代★◈ღ★★，先进制程工艺演进逼近物理极限★◈ღ★★，先进封装（AP）成了延续芯片新能持续提升的道路之一★◈ღ★★。传统的芯片封装方式已经无法满足如 此巨大的数据处理需求★◈ღ★★，先进封装的重要性日益凸显贝博ballbet体育★◈ღ★★。近年来★◈ღ★★，先进封装市场规模不断扩大★◈ღ★★，多样化的AP平台★◈ღ★★，包括扇出封装★◈ღ★★、WLCSP★◈ღ★★、 fcBGA/CSP★◈ღ★★、SiP 和 2.5D/3D 堆叠封装★◈ღ★★，加上异构和小芯片的变革潜力★◈ღ★★，正在重塑半导体格局★◈ღ★★。 2020年-2023年★◈ღ★★，全球半导体先进封装市场规模稳步上升★◈ღ★★。自2020年的300亿美元上升至2023年的439亿美元★◈ღ★★，年复合增长率为13.5%★◈ღ★★。同时预 计2024年★◈ღ★★，全球半导体先进封装市场规模将进一步上升★◈ღ★★，达472.5亿美元★◈ღ★★。 在全球趋势下★◈ღ★★，中国半导体先进封装市场也迎来春天★◈ღ★★。2020年★◈ღ★★，中国半导体先进封装市场规模为351.3亿元★◈ღ★★，据中商产业研究院预测★◈ღ★★，2025年 中国先进封装市场规模将超过1100亿元★◈ღ★★，年复合增长率达26.5%★◈ღ★★。
CoWoS先进封装技术主要应用于AI算力芯片及HBM领域羞羞漫画首韩漫页免费现在阅读★◈ღ★★。英伟达是CoWoS主要需求大厂★◈ღ★★，在台积电的CoWoS产能中羞羞漫画首韩漫页免费现在阅读★◈ღ★★，英伟达占整体供 应量比重超过50%★◈ღ★★。其中Hopper系列的A100和H100★◈ღ★★、Blackwell Ultra 使用台积电CoWoS封装工艺★◈ღ★★。 作为台积电CoWoS封装技术的最大客户★◈ღ★★，英伟达的需求将对市场格局产生重要影响★◈ღ★★。受益于英伟达Blackwell系列GPU的量产★◈ღ★★，台积电预 计将从2025年第四季度开始★◈ღ★★，将CoWoS封装工艺从CoWoS-Short（CoWoS-S）转向CoWoS-Long（CoWoS-L）制程★◈ღ★★，使CoWoS-L成为 其CoWoS技术的主要制程★◈ღ★★。到2025年第四季度★◈ღ★★，CoWoS-L将占台积电CoWoS总产能的54.6%★◈ღ★★，CoWoS-S占38.5%★◈ღ★★，而CoWoS-R则占 6.9%★◈ღ★★。这一转变不仅反映了市场需求的变化★◈ღ★★，也展示了英伟达在高性能GPU市场的强大影响力★◈ღ★★。除了英伟达羞羞漫画首韩漫页免费现在阅读★◈ღ★★，其他企业如博通和Marvell 也在增加对台积电CoWoS产能的订单★◈ღ★★，以满足为谷歌和亚马逊提供ASIC（专用集成电路）设计服务的需求★◈ღ★★。
随着先进AI加速器★◈ღ★★、图形处理单元及高性能计算应用的蓬勃发展★◈ღ★★，所需处理的数据量正以前所未有的速度激增★◈ღ★★，这一趋势直接推动了高带 宽内存（HBM）销量的急剧攀升★◈ღ★★。数据显示羞羞漫画首韩漫页免费现在阅读★◈ღ★★，2029年全球HBM行业市场规模达79.5亿美元★◈ღ★★；2020-2023年中国HBM市场规模自3亿元上升 至25.3亿元★◈ღ★★，年复合增长率达204%★◈ღ★★。 HBM走线长度短★◈ღ★★、焊盘数高★◈ღ★★，在PCB甚至封装基板上无法实现密集且短的连接★◈ღ★★。因此还需要CoWoS等2.5D先进封装技术来实现★◈ღ★★。CoWoS 能以合理的成本提供更高的互连密度和更大的封装尺寸★◈ღ★★，目前大部分HBM均使用的此项技术★◈ღ★★。因此★◈ღ★★，HBM的产能都将受制于CoWoS产能★◈ღ★★。 HBM需求激增进一步加剧了CoWoS封装的供不应求情况★◈ღ★★。
长电科技是全球领先的集成电路制造与技术服务提供商★◈ღ★★，在中国★◈ღ★★、韩国及新加坡拥有两大研发中心和六大集成电路成品生产基地★◈ღ★★，业务机 构分布于世界各地★◈ღ★★，可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持★◈ღ★★。拥有高集成度的晶圆级 WLP★◈ღ★★、2.5D/3D★◈ღ★★、系统级 （SiP）封装技术和高性能的 Flip Chip 和引线日长电科技完成了对晟碟半导体（上海）有限公司80%股权的收购.本次收购加大先进闪存存储产品封装和测试产能布局的同 时贝博ballbet体育★◈ღ★★，进一步增强与全球存储巨头西部数据的合作关系★◈ღ★★，或将受益于存储芯片需求提升★◈ღ★★。 长电科技2024年2季度归母净利润环比增长258%★◈ღ★★，营收创同期历史新高★◈ღ★★。二季度实现收入为人民币86.4亿元★◈ღ★★，同比增长36.9%★◈ღ★★，环比增长 26.3%★◈ღ★★，创历史同期新高★◈ღ★★。二季度经营活动产生现金人民币16.5亿元★◈ღ★★，二季度扣除资产投资净支出人民币9.3亿元★◈ღ★★，自由现金流达人民币 7.2亿元★◈ღ★★。二季度归母净利润为人民币4.8亿元★◈ღ★★，同比增长25.5%★◈ღ★★，环比增长258.0%★◈ღ★★。
通富微电具有行业一流的封装技术水平和广泛的产品布局优势★◈ღ★★，先后承担了多项国家级技术改造羞羞漫画首韩漫页免费现在阅读★◈ღ★★、科技攻关项目★◈ღ★★，并取得了丰硕的技术创 新成果★◈ღ★★：超大尺寸2D+封装技术及3维堆叠封装技术均获得验证通过★◈ღ★★；大尺寸多芯片chip last封装技术获得验证通过★◈ღ★★；国内首家WB分腔屏 蔽技术研发及量产获得突破★◈ღ★★。公司在发展过程中不断加强自主创新★◈ღ★★，并在多个先进封装技术领域积极开展国内外专利布局★◈ღ★★。截至2023年12 月31日★◈ღ★★，公司累计国内外专利申请达1,544件★◈ღ★★，先进封装技术布局占比超六成★◈ღ★★；同时★◈ღ★★，公司先后从富士通★◈ღ★★、卡西欧★◈ღ★★、AMD获得技术许可★◈ღ★★， 使公司快速切入高端封测领域★◈ღ★★，为公司进一步向高阶封测迈进★◈ღ★★，奠定坚实的技术基础★◈ღ★★。面向未来高附加值产品以及市场热点方向★◈ღ★★，立足长 远★◈ღ★★，大力开发扇出型★◈ღ★★、圆片级★◈ღ★★、倒装焊等封装技术并扩充其产能★◈ღ★★；此外★◈ღ★★，积极布局Chiplet★◈ღ★★、2D+等顶尖封装技术★◈ღ★★，形成了差异化竞争优 势羞羞漫画首韩漫页免费现在阅读★◈ღ★★。 2019-2023公司营收持续增长★◈ღ★★。2023年实现营收222.69亿元★◈ღ★★，根据芯思想研究院发布的2023年全球委外封测榜单★◈ღ★★，在全球前十大封测企业 2023年营收普遍下降的情况下★◈ღ★★，公司营收略有增长★◈ღ★★。
CoWoS-L结合了CoWoS-S和InFO技术的优点★◈ღ★★，使用中介层与LSI芯片进行芯片间互连★◈ღ★★，并使用RDL层进行功率和信号传输★◈ღ★★，从而提供最 灵活的集成★◈ღ★★。CoWoS-L的中介层包括多个局部硅互连（local silicon interconnect★◈ღ★★，LSI）芯片和全局重布线（global redistribution layers）★◈ღ★★，形成一个重组的中介层（reconstituted interposer★◈ღ★★，RI）★◈ღ★★，以替代CoWoS-S中的单片硅中介层★◈ღ★★。LSI芯片保留了硅中介层的所有 优秀特性★◈ღ★★，包括保留亚微米铜互连★◈ღ★★、硅通孔（TSV）和嵌入式深沟槽电容器（eDTC）★◈ღ★★，以确保良好的系统性能★◈ღ★★，同时避免了单个大型硅 中介层的良率损失问题★◈ღ★★。 在电气性能方面★◈ღ★★，CoWoS平台引入第一代深沟槽电容器（eDTC）是用于提升电气性能★◈ღ★★。此前配备第一代eDTC的CoWoS可以将系统电源 分配网络（PDN）的阻抗降低93%★◈ღ★★，压降比没有使用eDTC的情况低72%贝博ballbet体育★◈ღ★★。此外★◈ღ★★，HBM VDDQ的同步开关噪声（SSN）可以在3.2 GHz时 比没有eDTC的情况减少到38%★◈ღ★★。由于SSN减少★◈ღ★★，信号完整性也可以得到改善★◈ღ★★。CoWoS平台配合eDTC有利于电源完整性和信号完整性★◈ღ★★。 新一代的eDTC可以提供1100 nF/mm²的电容密度★◈ღ★★。高电容密度为高速计算的电源效率提供了巨大的优势★◈ღ★★。出于良率考虑羞羞漫画首韩漫页免费现在阅读★◈ღ★★，单个硅芯片上 eDTC的最大面积上限约为300平方毫米★◈ღ★★。通过连接所有LSI芯片的电容★◈ღ★★，CoWoS-L搭载多个LSI芯片★◈ღ★★，可以显著增加RI上的总eDTC电 容★◈ღ★★。
（本文仅供参考★◈ღ★★，不代表我们的任何投资建议★◈ღ★★。如需使用相关信息羞羞漫画首韩漫页免费现在阅读★◈ღ★★，请参阅报告原文贝博ballbet体育★◈ღ★★。）返回搜狐★◈ღ★★，查看更多
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