贝博ballbet体育贝博★✿ღ。贝博体育★✿ღ，半导体设备★✿ღ，晶圆制程★✿ღ。而从制程工艺的发展情况来看★✿ღ，一般是以28nm为分水岭★✿ღ，来区分先进制程和传统制程★✿ღ。下面贝博ballbet体育★✿ღ，就来梳理一下业界主流先进制程工艺的发展情况★✿ღ。
由于性价比提升一直以来都被视为摩尔定律的核心意义★✿ღ，所以20nm以下制程的成本上升问题一度被认为是摩尔定律开始失效的标志★✿ღ，而28nm作为最具性价比的制程工艺贝博ballbet体育★✿ღ，具有很长的生命周期★✿ღ。
在设计成本不断上升的情况下★✿ღ，只有少数客户能负担得起转向高级节点的费用★✿ღ。据Gartner统计★✿ღ，16nm /14nm芯片的平均IC设计成本约为8000万美元★✿ღ，而28nm体硅制程器件约为3000万美元★✿ღ，设计7nm芯片则需要2.71亿美元★✿ღ。IBS的数据显示★✿ღ：28nm体硅器件的设计成本大致在5130万美元左右★✿ღ，而7nm芯片需要2.98亿美元★✿ღ。对于多数客户而言★✿ღ，转向16nm/14nm的FinFET制程太昂贵了★✿ღ。
就单位芯片成本而言★✿ღ，28nm优势明显★✿ღ，将保持较长生命周期★✿ღ。一方面★✿ღ，相较于40nm及更早期制程★✿ღ，28nm工艺在频率调节★✿ღ、功耗控制★✿ღ、散热管理和尺寸压缩方面具有明显优势★✿ღ。另一方面★✿ღ，由于16nm/14nm及更先进制程采用FinFET技术★✿ღ，维持高参数良率以及低缺陷密度难度加大★✿ღ，每个逻辑闸的成本都要高于28nm制程的★✿ღ。
28nm处于32nm和22nm之间★✿ღ，业界在更早的45nm阶段引入了high-k值绝缘层/金属栅极（HKMG）工艺★✿ღ，在32nm处引入了第二代 high-k 绝缘层/金属栅工艺★✿ღ，这些为28nm的逐步成熟打下了基础★✿ღ。而在之后的先进工艺方面★✿ღ，从22nm开始采用FinFET（鳍式场效应晶体管）等★✿ღ。可见★✿ღ，28nm正好处于制程过渡的关键点上★✿ღ，这也是其性价比高的一个重要原因★✿ღ。
目前★✿ღ，行业内的28nm制程主要在台积电★✿ღ，GF（格芯）★✿ღ，联电★✿ღ，三星和中芯国际这5家之间竞争★✿ღ，另外贝博ballbet体育★✿ღ，2018年底宣布量产联发科28nm芯片的华虹旗下的华力微电子也开始加入竞争行列★✿ღ。
虽然高端市场会被 7nm★✿ღ、10nm以及14nm/16nm工艺占据贝博ballbet体育★✿ღ，但40nm★✿ღ、28nm等并不会退出★✿ღ。如28nm~16nm工艺现在仍然是台积电营收的重要组成部分★✿ღ，特别是在中国大陆建设的代工厂★✿ღ，就是以16nm为主★✿ღ。中芯国际则在持续提高28nm良率★✿ღ。
14nm制程主要用于中高端AP/SoC★✿ღ、GPU★✿ღ、矿机ASICFPGA★✿ღ、汽车半导体等制造★✿ღ。对于各厂商而言★✿ღ，该制程也是收入的主要来源★✿ღ，特别是英特尔★✿ღ，14nm是其目前的主要制程工艺★✿ღ，以该公司的体量而言★✿ღ，其带来的收入可想而知★✿ღ。而对于中国大陆本土的晶圆代工厂来说★✿ღ，特别是中芯国际和华虹★✿ღ，正在开发14nm制程技术★✿ღ，距离量产时间也不远了★✿ღ。
目前来看★✿ღ，具有或即将具有14nm制程产能的厂商主要有7家★✿ღ，分别是★✿ღ：英特尔★✿ღ、台积电★✿ღ、三星★✿ღ、格芯★✿ღ、联电★✿ღ、中芯国际和华虹★✿ღ。
同为14nm制程★✿ღ，由于英特尔严格追求摩尔定律★✿ღ，因此其制程的水平和严谨度是最高的★✿ღ，就目前已发布的技术来看★✿ღ，英特尔持续更新的14nm制程与台积电的10nm大致同级★✿ღ。
然而★✿ღ，英特尔公司自己的14nm产能已经满载★✿ღ，因此★✿ღ，该公司投入15亿美元★✿ღ，用于扩大14nm产能★✿ღ，预计可在今年第3季度增加产出★✿ღ。其14nm制程芯片主要在美国亚利桑那州及俄勒冈的D1X晶圆厂生产★✿ღ，海外14nm晶圆厂是位于爱尔兰的Fab 24★✿ღ，目前还在升级14nm工艺★✿ღ。
三星方面★✿ღ，该公司于2015年宣布正式量产14nm FinFET制程★✿ღ，先后为苹果和高通代工过高端★✿ღ。目前来看★✿ღ，其14nm产能市场占有率仅次于英特尔和台积电★✿ღ。
台积电于2015下半年量产16nm FinFET制程★✿ღ。与三星和英特尔相比★✿ღ，尽管它们的节点命名有所不同★✿ღ，三星和英特尔是14nm★✿ღ，台积电是16nm★✿ღ，但在实际制程工艺水平上处于同一世代★✿ღ。
格芯制定了两条工艺路线图★✿ღ：一是FinFET★✿ღ，这方面★✿ღ，该公司有14LPP和新的12LPP（14LPP到7LP的过渡版本）★✿ღ；二是FD-SOI★✿ღ，格芯目前在产的是22FDX★✿ღ，当客户需要时★✿ღ，还会发布12FDX★✿ღ。
联电方面★✿ღ，其14nm制程占比只有3%左右★✿ღ，并不是其主力产线★✿ღ。这与该公司的发展策略直接相关★✿ღ，联电重点发展特殊工艺★✿ღ，无论是8吋厂★✿ღ，还是12吋厂★✿ღ，该公司会聚焦在各种新的特殊工艺发展上★✿ღ。
中芯国际方面★✿ღ，其14nm FinFET已进入客户试验阶段★✿ღ，2019年第二季在上海工厂投入新设备★✿ღ，规划下半年进入量产阶段★✿ღ，未来★✿ღ，其首个14nm制程客户很可能是手机芯片厂商★✿ღ。据悉★✿ღ，2019年★✿ღ，中芯国际的资本支出由2018年的18亿美元提升到了22亿美元★✿ღ。
华力微电子方面★✿ღ，在年初的SEMICON China 2019先进制造论坛上★✿ღ，该公司研发副总裁邵华发表演讲时表示★✿ღ，华力微电子今年年底将量产28nm HKC+工艺★✿ღ，2020年底将量产14nm FinFET工艺路星辞含着段嘉衍的性器补车★✿ღ。
从目前的晶圆代工市场来看★✿ღ，具备12nm制程技术能力的厂商很少★✿ღ，主要有台积电★✿ღ、格芯★✿ღ、三星和联电★✿ღ。联电于2018年宣布停止12nm及更先进制程工艺的研发贝博ballbet体育★✿ღ。因此★✿ღ，目前来看★✿ღ，全球晶圆代工市场★✿ღ，12nm的主要玩家就是台积电路星辞含着段嘉衍的性器补车★✿ღ、格芯和三星这三家★✿ღ。
台积电的16nm制程经历了16nm FinFET★✿ღ、16FF＋和16FFC三代★✿ღ，之后进入了第四代16nm制程技术★✿ღ，此时★✿ღ，台积电改变策略路星辞含着段嘉衍的性器补车★✿ღ，推出了改版制程★✿ღ，也就是12nm技术★✿ღ，用以吸引更多客户订单★✿ღ，从而提升12吋晶圆厂的产能利用率★✿ღ。因此★✿ღ，台积电的12nm制程就是其第四代16nm技术★✿ღ。
格芯于2018年宣布退出10nm及更先进制程的研发★✿ღ，这样★✿ღ，该公司的最先进制程就是12nm了★✿ღ。该公司是分两条腿走路的★✿ღ，即FinFET和FD-SOI★✿ღ，这也充分体现在了12nm制程上★✿ღ，在FinFET方面★✿ღ，该公司有12LP技术★✿ღ，而在FD-SOI方面★✿ღ，有12FDX★✿ღ。12LP主要针对人工智能★✿ღ、虚拟现实★✿ღ、智能手机网络基础设施等应用★✿ღ，利用了格芯在纽约萨拉托加县Fab 8的专业技术★✿ღ，该工厂自2016年初以来★✿ღ，一直在大规模量产格芯的14nm FinFET产品★✿ღ。
由于许多连接设备既需要高度集成★✿ღ，又要求具有更灵活的性能和功耗★✿ღ，而这是FinFET难以实现的★✿ღ，12FDX则提供了一种替代路径★✿ღ，可以实现比FinFET产品功耗更低★✿ღ、成本更低★✿ღ、射频集成更优★✿ღ。
三星方面★✿ღ，其晶圆代工路线nm LPP★✿ღ。不过★✿ღ，三星的11 LPP和格芯的12nm LP其实是“师出同门”★✿ღ，都是对三星14nm改良的产物★✿ღ，晶体管密度变化不大★✿ღ，效能则有所增加路星辞含着段嘉衍的性器补车★✿ღ。因此★✿ღ，格芯的12nm LP与三星的12nm制程有非常多的共同之处★✿ღ，这可能也是AMD找三星代工12nm产品的原因之一★✿ღ。
中芯国际方面★✿ღ，不仅14nm FinFET制程已进入客户风险量产阶段★✿ღ，而且在2019年第一季度★✿ღ，其12nm制程工艺开发进入客户导入阶段★✿ღ，第二代FinFET N+1研发取得突破★✿ღ，进度超过预期★✿ღ，同时★✿ღ，上海中芯南方FinFET工厂顺利建造完成★✿ღ，进入产能布建阶段★✿ღ。这意味着用不了多久★✿ღ，一个新的12nm制程玩家将杀入战团★✿ღ。
总的来说★✿ღ，台积电还是领先的★✿ღ，其典型产品就是2017年为苹果代工的A11处理器★✿ღ。而三星也紧跟步伐★✿ღ，在10nm这个点★✿ღ，双方的进度相差不大★✿ღ，但总体水平★✿ღ，台积电仍然略胜一筹★✿ღ。
今年★✿ღ，英特尔的老对手AMD打起了翻身仗★✿ღ，凭借台积电代工的7nm锐龙3000系列处理器贝博ballbet体育★✿ღ，让AMD在CPU处理器的制程工艺上首次超越了英特尔★✿ღ。
而目前★✿ღ，英特尔的主流制程是14nm★✿ღ，不过★✿ღ，前不久传来消息★✿ღ，经过多年的攻关★✿ღ，该公司终于解决了10nm工艺的技术难题★✿ღ，已经开始量产★✿ღ。
不过★✿ღ，英特尔对制程节点的严谨追求是很值得称道的★✿ღ，从具体的性能指标★✿ღ，特别是PPA和晶体管密度来看★✿ღ，英特尔的10nm比台积电的10nm有优势★✿ღ。
在7nm★✿ღ，目前只有台积电和三星两家了★✿ღ，而且三星的量产时间相对于台积电明显滞后★✿ღ，这让三星不得不越过7nm★✿ღ，直接上7nm EUV★✿ღ，这使得像苹果★✿ღ、华为★✿ღ、AMD★✿ღ、英伟达这样的7nm制程大客户订单★✿ღ，几乎都被台积电抢走了★✿ღ。在这种先发优势下★✿ღ，台积电的7nm产能已经有些应接不暇★✿ღ。而在7nm EUV量产方面★✿ღ，台积电也领先了一步★✿ღ，代工的华为麒麟990已经商用★✿ღ，三星7nm EUV代工的高通新一代处理器也在生产当中★✿ღ，估计很快就会面市了★✿ღ。
英特尔方面★✿ღ，在10nm之后★✿ღ，该公司称会在2021年推出7nm工艺★✿ღ，据悉★✿ღ，其7nm工艺已经走上正轨★✿ღ，功耗及性能看起来都非常好★✿ღ，根据之前的消息★✿ღ，7nm工艺会在2021年的数据中心GPU上首发★✿ღ。
台积电在2018年1月就开始兴建5nm晶圆厂了★✿ღ；除了钱★✿ღ、晶圆厂★✿ღ、光刻机之外★✿ღ，5nm的刻蚀机★✿ღ、EDA工具★✿ღ、客户等也已经陆续就位★✿ღ：
芯片的制造过程可以简化成用光刻机“雕刻”图案★✿ღ，用刻蚀机吹走/洗走多余的材料★✿ღ。相对于光刻机★✿ღ，刻蚀机的研发难度要小一些★✿ღ，但刻蚀机也是除光刻机以外最关键的设备★✿ღ。目前一台刻蚀机单价在200万美元左右★✿ღ，一个晶圆厂需要40-50台刻蚀机★✿ღ。
国外刻蚀机设备厂商主要有应用材料（Applied Materials）★✿ღ、科林研发（LAM） ★✿ღ、东京威力科创（TEL）★✿ღ、日立先端（Hitach）★✿ღ、牛津仪器等★✿ღ；国内玩家则有中微半导体★✿ღ、北方微电子★✿ღ、金盛微纳科技★✿ღ，我们跟国外的差距没有光刻机那么大★✿ღ。
2018年12月路星辞含着段嘉衍的性器补车★✿ღ，中微半导体的5nm等离子体刻蚀机也宣布通过台积电验证★✿ღ，将用于全球首条5nm制程生产线nm时代★✿ღ，中微半导体的刻蚀机也进入了台积电的7nm产线nm
工具已就位★✿ღ；目前★✿ღ，全球几大EDA巨头都已经陆续推出了5nm芯片设计工具★✿ღ，比如在2018年10月贝博ballbet体育★✿ღ，新思
宣布其数字和定制设计平台通过了台积电的5nm EUV工艺技术认证★✿ღ。而另一EDA巨头华登国际创始人兼
CEO陈立武曾经告诉智东西★✿ღ，目前Cadence已经和很多合作伙伴开始了7nm★✿ღ、5nm★✿ღ、甚至3nm芯片工艺制程的研究★✿ღ。比如今年年初★✿ღ，比利时公司Imec与Cadence就成功流片了首款3nm测试芯片★✿ღ。陈立武说★✿ღ，现在5nm市场是最活跃的★✿ღ，有很多非常积极的公司正在安排5nm相关EDA软件与设计★✿ღ、IP的协同★✿ღ。
芯片与数据中心在再次之★✿ღ，所以最先用上先进的工艺的往往是专用芯片而非通用芯片★✿ღ，比如台积电7nm的头批客户只包含了比特币与手机芯片玩家★✿ღ。而根据华为
平台与关键技术开发部部长夏禹此前给出的芯片工艺路线nm芯片研发进程★✿ღ，预计5nm芯片问世的时间点在2020年★✿ღ。在7nm时代★✿ღ，华为和台积电合作研发了3年★✿ღ，耗资3亿美元★✿ღ，才终于在2018年拿出7nm芯片设计★✿ღ。
工艺越先进★✿ღ，需要投入的也成本越高★✿ღ，这个道理在芯片代工厂跟芯片设计商同理★✿ღ，5nm的设计总成本（人工与许可费）是7nm的1.5倍左右★✿ღ。
而根据台积电数据★✿ღ，基于5nm工艺生产的A72芯片★✿ღ，芯片面积缩小了1.8倍★✿ღ，速度提升了14.7% -17.1%★✿ღ。
以上★✿ღ，就业界已经量产的主流先进制程工艺的发展情况★✿ღ，以及相关厂商的进展进行了阐述★✿ღ。而更先进的5nm★✿ღ、3nm★✿ღ、2nm等还没有进入量产阶段★✿ღ，就不再详述了★✿ღ。这些制程节点已经鲜有玩家了★✿ღ，目前只有台积电和三星这两家★✿ღ，台积电称将于明年量产5nm★✿ღ，而三星似乎要越过5nm★✿ღ，直接上3nm,我们拭目以待
产品占当期销售额的 15%★✿ღ，5 纳米产品占比达到了 35%★✿ღ，而 7 纳米产品则占据了 17%★✿ღ；整体上看★✿ღ，
营收占比高达67% /
领域的掩模版是龙图光罩最主要的收入来源★✿ღ，且营收和营收占比呈现逐年递增的趋势★✿ღ。龙图光罩指出★✿ღ，在功率
掩模版国产化的先锋 /
之争★✿ღ：2nm战况激烈★✿ღ，1.8/1.4nm苗头显露 /
快速发展★✿ღ，每一代新技术都在减小集成电路(IC)上各层特征的间距和尺寸★✿ღ。晶圆上高密度的电路需要更高的精度以及高度脆弱的
概览与氧化 /
测试 /
★✿ღ，并且会随着G4不断改进★✿ღ：• 导通电阻约比G3低15%• 工作频率接近1 MHz• 成熟且稳健的
本文转自TechSugar 感谢TechSugar对新思科技的关注 虽然摩尔定律走到极限已成行业共识★✿ღ，但是在现代科技领域中★✿ღ，
芯片“三大拦路虎” /
芯片设计成功的关键 /
”挖出饼干的中间部分★✿ღ，然后倒入巧克力糖浆★✿ღ，再盖上一层饼干层★✿ღ。“倒入巧克力糖浆”和“盖上饼干层”的过程在
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